Das gewählte Material entspricht zum jetzigen und voraussehbaren Zeitpunkt am ehesten unseren finanziellen Mitteln und Bedürfnissen (Sicherung der Investitionen) unter Berücksichtigung der schnellen Entwicklung der Anforderungen in der Forschung.
Adjugé
- Fourniture
2 sets de 8 fours comprenant 4 tubes pour des procédés de dépôt chimique à basse pression vapeur (LPCVD) et 4 tubes atmosphériques pour le CMi
- Lieu
- Canton VD
- Service d'achat
- EPFL-Scientific Equipment
- Service demandeur
- EPFL – Center of MicroNanoTechnology (CMi)
Adjugé
Adjugé à
- centrotherm international AG, BlaubeurenPrix non publié
Qu'est-ce qui est acquis ?
Étendue des prestations
L’EPFL a l’intention d’acquérir 2 sets de 8 fours comprenant 4 tubes pour des procédés de dépôt chimique à basse pression vapeur (LPCVD) et 4 tubes atmosphériques pour son Centre de MicroNanotechnologies (CMi). L’évaluation sera basée sur la performance des procédés, sur la robustesse de l’équipement, la facilité d’utilisation/maintenance. Les performances seront évaluées sur l’uniformité de déposition/croissance, la répétabilité et la durée des procédés. Les exigences générales sont :
· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD de polysilicium (Poly-Si), silicium amorphes (aSi), polysilicium dopé N (N-Si) et polysilicium dopé P (P-Si) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.
· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD de nitrure de silicium hautement stœchiométrique à forte contrainte (Si3N4) et de nitrure de silicium riche en silicium à faible contrainte (lsnit) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.
· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD d’oxyde SiO2 à basse température (LTO) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.
· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD d’oxyde SiO2 TEOS de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.
· (1 Tube) Oxydation thermique sèche de silicium.
· (1 Tube) Oxydation thermique humide/sèche de silicium.
· (1 Tube) Recuit thermique haute température (1250°C) sous N2.
· (1 Tube) Oxydation thermique humide/sèche de silicium, recuit sous forming gaz (N2/H2) or azote N2.
Données clés, codes et options
Données clés, codes et options
- Type de marché
- Fourniture
- Type de fourniture
- Achat
- Procédure
- Procédure ouverte
- Corps de métier
- Ne ressort pas des données de publication disponibles.
- CPV
- CPV 38000000 – Équipements de laboratoire, d'optique et de précision (excepté les lunettes)
- Options
- Ne ressort pas des données de publication disponibles.
- Variantes
- Ne ressort pas des données de publication disponibles.
- Offres partielles
- Ne ressort pas des données de publication disponibles.
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Source officielle
Vers l'appel d'offres officiel(simap.ch, s'ouvre dans un nouvel onglet)
- Numéro de projet simap
- 25704
- Numéro de publication
- 25704-02
- Soumis aux accords internationaux
- Oui
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