2 sets de 8 fours comprenant 4 tubes pour des procédés de dépôt chimique à basse pression vapeur (LPCVD) et 4 tubes atmosphériques pour le CMi

L’EPFL a l’intention d’acquérir 2 sets de 8 fours comprenant 4 tubes pour des procédés de dépôt chimique à basse pression vapeur (LPCVD) et 4 tubes atmosphériques pour son Centre de MicroNanotechnologies (CMi). L’évaluation sera basée sur la performance des procédés, sur la robustesse de l’équipement, la facilité d’utilisation/maintenance. Les performances seront évaluées sur l’uniformité de déposition/croissance, la répétabilité et la durée des procédés. Les exigences générales sont :

· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD de polysilicium (Poly-Si), silicium amorphes (aSi), polysilicium dopé N (N-Si) et polysilicium dopé P (P-Si) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.

· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD de nitrure de silicium hautement stœchiométrique à forte contrainte (Si3N4) et de nitrure de silicium riche en silicium à faible contrainte (lsnit) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.

· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD d’oxyde SiO2 à basse température (LTO) de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.

· (1 Tube) Déposition par procédé LPCVD d’oxyde SiO2 TEOS de haute qualité et densité, avec de faibles teneurs en impuretés et hydrogène.

· (1 Tube) Oxydation thermique sèche de silicium.

· (1 Tube) Oxydation thermique humide/sèche de silicium.

· (1 Tube) Recuit thermique haute température (1250°C) sous N2.

· (1 Tube) Oxydation thermique humide/sèche de silicium, recuit sous forming gaz (N2/H2) or azote N2.