Das gewählte Material entspricht zum jetzigen und voraussehbaren Zeitpunkt am ehesten unseren finanziellen Mitteln und Bedürfnissen (Sicherung der Investitionen) unter Berücksichtigung der schnellen Entwicklung der Anforderungen in der Forschung.
- Fornitura
zwei Sätze von acht Öfen zu erwerben, bestehend aus vier Rohren für chemische Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD) und vier atmosphärischen Rohren für die CMi
- Luogo
- Cantone VD
- Servizio d'acquisto
- EPFL-Scientific Equipment
- Servizio richiedente
- EPFL – Center of MicroNanoTechnology (CMi)
Aggiudicato
Aggiudicato a
- centrotherm international AG, BlaubeurenPrezzo non pubblicato
Che cosa si acquista?
Portata delle prestazioni
Die EPFL beabsichtigt, zwei Sätze von acht Öfen zu erwerben, bestehend aus vier Rohren für chemische Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD) und vier atmosphärischen Rohren für ihr MicroNanotechnologie Center (CMi). Die Bewertung basiert auf der Prozessleistung, der Robustheit der Ausrüstung und der Benutzerfreundlichkeit/Wartungsfreundlichkeit. Die Leistung wird anhand der Einheitlichkeit der Abscheidung/des Wachstums, der Wiederholbarkeit und der Prozessdauer bewertet. Die allgemeinen Anforderungen sind:
• (1 Rohr) LPCVD-Deposition von Polysilicium (Poly-Si), amorphem Silicium (aSi), N-dotiertem Polysilicium (N-Si) und P-dotiertem Polysilicium (P-Si) hoher Qualität und Dichte mit geringen Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalten.
• (1 Rohr) LPCVD-Abscheidung von hochgradig stechiometrischem, hochbelastetem Siliziumnitrid (Si3N4) und niedrigbelastetem Siliziumnitrid (lsnit) hoher Qualität und Dichte mit geringen Verunreinigungen und Wasserstoffgehalten.
• (1 Rohr) LPCVD-Abscheidung von SiO2-Oxid (LTO) mit hoher Qualität und Dichte bei niedriger Temperatur, niedrigem Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalt.
• (1 Rohr) LPCVD-Deposition von SiO2 TEOS-Oxid mit hoher Qualität und Dichte, niedrigem Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalt.
• (1 Rohr) Trockene thermische Oxidation von Silizium.
• (1 Rohr) Feuchtig/trockene thermische Oxidation von Silizium.
• (1 Rohr) Hitzeglühen bei hohen Temperaturen (1250°C) unter N2.
• (1 Rohr) Feuchtig/trockene thermische Oxidation von Silizium, unter Formgas (N2/H2) oder Stickstoff N2 geglüht.
Dati principali, codici e opzioni
Dati principali, codici e opzioni
- Tipo di commessa
- Fornitura
- Tipo di fornitura
- Acquisto
- Procedura
- Procedura aperta
- Generi di lavoro
- Non risulta dai dati di pubblicazione disponibili.
- CPV
- CPV 38000000 – Attrezzature da laboratorio, ottiche e di precisione (escluso vetri)
- Opzioni
- Non risulta dai dati di pubblicazione disponibili.
- Varianti
- Non risulta dai dati di pubblicazione disponibili.
- Offerte parziali
- Non risulta dai dati di pubblicazione disponibili.
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Fonte ufficiale
- Numero di progetto simap
- 25704
- Numero di pubblicazione
- 25704-02
- Sottoposto ai trattati internazionali
- Sì
Approfondimenti nella guida
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