zwei Sätze von acht Öfen zu erwerben, bestehend aus vier Rohren für chemische Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD) und vier atmosphärischen Rohren für die CMi

Die EPFL beabsichtigt, zwei Sätze von acht Öfen zu erwerben, bestehend aus vier Rohren für chemische Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD) und vier atmosphärischen Rohren für ihr MicroNanotechnologie Center (CMi). Die Bewertung basiert auf der Prozessleistung, der Robustheit der Ausrüstung und der Benutzerfreundlichkeit/Wartungsfreundlichkeit. Die Leistung wird anhand der Einheitlichkeit der Abscheidung/des Wachstums, der Wiederholbarkeit und der Prozessdauer bewertet. Die allgemeinen Anforderungen sind:

• (1 Rohr) LPCVD-Deposition von Polysilicium (Poly-Si), amorphem Silicium (aSi), N-dotiertem Polysilicium (N-Si) und P-dotiertem Polysilicium (P-Si) hoher Qualität und Dichte mit geringen Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalten.

• (1 Rohr) LPCVD-Abscheidung von hochgradig stechiometrischem, hochbelastetem Siliziumnitrid (Si3N4) und niedrigbelastetem Siliziumnitrid (lsnit) hoher Qualität und Dichte mit geringen Verunreinigungen und Wasserstoffgehalten.

• (1 Rohr) LPCVD-Abscheidung von SiO2-Oxid (LTO) mit hoher Qualität und Dichte bei niedriger Temperatur, niedrigem Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalt.

• (1 Rohr) LPCVD-Deposition von SiO2 TEOS-Oxid mit hoher Qualität und Dichte, niedrigem Verunreinigungs- und Wasserstoffgehalt.

• (1 Rohr) Trockene thermische Oxidation von Silizium.

• (1 Rohr) Feuchtig/trockene thermische Oxidation von Silizium.

• (1 Rohr) Hitzeglühen bei hohen Temperaturen (1250°C) unter N2.

• (1 Rohr) Feuchtig/trockene thermische Oxidation von Silizium, unter Formgas (N2/H2) oder Stickstoff N2 geglüht.