Ein System zur Atomlagenabscheidung (ALD)

Die EPFL beabsichtigt, ein System zur Atomlagenabscheidung für ihr Labor für Nanoelektronische Geräte (NANOLAB) der Technischen Fakultät (STI) zu erwerben. Die Ausrüstung wird speziell für die Abscheidung dünner Schichten aus CMOS-kompatiblen Oxid- und Nitridmaterialien wie VO2, ZrO2, HfO2, HZO, SiO2, TiN, Al2O3 eingesetzt, um energiesparende Geräte für die Informationsverarbeitung und -speicherung sowie energieeffiziente Sensoren herzustellen.

In Bezug auf die Bedürfnisse der EPFL und die spezifischen wissenschaftlichen Ziele ihres NANOLABs wird besonderes Augenmerk auf folgende Prozesse und Materialsysterme gelegt:

• Phasenwechselmaterialien basierend auf VO2 (rein und dotiert), einschließlich ultradünner Schichten, geeignet für Kanäle von Feldeffekttransistoren
• Ferroelektrische/antiferroelektrische dünne Schichten aus HfO2, ZrO2 und (Hf,Zr)O2, integriert auf TiN, VO2 und Si/SiO2 für nichtflüchtige Speicher und neuromorphe Schaltkreise
• Oxide wie SiO2 und Al2O3, einschließlich mehrschichtiger Strukturen, die die oben genannten funktionalen Materialien enthalten